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射頻二極管芯片 表面貼裝二極管 大功率同軸二極管 塑封表貼二極管 單刀多擲PIN開(kāi)關(guān) 功率芯片燒結(jié)銀封裝 部分生產(chǎn)設(shè)備 部分檢測(cè)設(shè)備聯(lián)系我們
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南京芯興提供功率器件的封裝技術(shù)方案：SiC MOSFET或SiC SBD采用有壓燒結(jié)銀焊接，導(dǎo)熱率達(dá)到260W/mK以上，無(wú)孔洞，顯著降低器件節(jié)溫，提高了器件導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和長(zhǎng)期使用可靠性。
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高導(dǎo)熱，導(dǎo)熱率達(dá)到260W/m·k
低溫?zé)Y(jié)，高溫服役，使用溫度可達(dá)500℃以上
連接強(qiáng)度高，剪切力＞100MPa
抗疲勞性能好，可靠性高
